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参数资料
| 型号： | 8AF4NPPPBF |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | 50 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | B-47, 1 PIN |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 136K |
| 代理商： | 8AF4NPPPBF |
8AF Series
5
Bulletin I20262 Rev.A 06/03
www.irf.com
Fig. 5 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 6 - Maximum Non-Repetitive Surge Current
Fig. 7 - Forward Voltage Drop Characteristics
Fig. 8 - Thermal Impedance Z
thJC Characteristic
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
10
th
J
C
T
ra
n
s
ie
n
t
T
h
er
m
a
lIm
p
e
d
a
n
c
e
Z
(K
/W
)
8AF Series
Square Wave Pulse Duration (s)
Steady State Value
(DC Operation)
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
110
100
P
e
a
kH
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
e
n
t(
A
)
Initial T = 195°C
@ 60 Hz 0.0083 s
@ 50 Hz 0.0100 s
At Any Rated Load Condition And With
Rated V
Applied Following Surge.
RRM
J
Number Of Equal Amplitude Half Cycle Current Pulses (N)
8AF Series
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
0.01
0.1
1
P
e
ak
H
a
lf
S
in
e
W
a
v
e
F
o
rw
a
rd
C
u
rr
en
t(
A
)
Pulse Train Duration (s)
8AF Series
Maximum Non Repetitive Surge Current
Initial T = 195 °C
No Voltage Reapplied
Rated V
Reapplied
RRM
Versus Pulse Train Duration.
J
1
10
100
1000
01
234
567
In
s
tan
ta
n
e
ou
s
F
o
rw
ar
d
C
u
rr
e
n
t(
A
)
8AF Series
T = 195°C
J
T = 25°C
J
Instantaneous Forward Voltage (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 8AF8RLVPBF | 50 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| 8EWF02STRLPBF | 8 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 8EWF06STRLPBF | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
| 8EWF06STRRPBF | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-252AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 8AF4RPPPBF | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述: |
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