| 型号： | 8EWS10S |
| 厂商： | Vishay Semiconductors |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE STD REC 1000V 8A D-PAK |
| 标准包装： | 75 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 8A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.1V @ 8A |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 1000V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *8EWS10S |
| 8EWS..S SAFEIR Series |riieinGTiOriO| Bunetin .2100 reV.G 08/00 Rectifier Voltage Ratings VRRM. maximum RSM. maximum non repetitive Part Number peak reverse voltage peak reverse voltage BEWSOBS Absolute Maximum Ratings Conditions @TC=95°C.180°conduotionhalfsinewave surgecurreni 1Omssinepulse.ratedVRRMapp|ied I21 Max. lztforfusing 10ms Sinepulse. ratedVRRMapplied lomssinepulse. novoltagereapplied I2 gt Max. I2 ‘lztforfusing t=0.1 to 1 Ums. novoltagereapplied Electrical Specifications VFM Max. Fonlvard Voltage Drop @ 8A. T J = 25°C r‘ Forward slope resistance vmo, Threshold voltage IRM Max. Reverse Leakage Current Thermal-Mechanical Specifications% Units Conditions Ti Max-Junc1i°nTempera‘UreRange — Tslg Max.StorageTemperatureRange SoldenngTemperature for10seconds(1.6mmfromcase) Typ.Thermal ResistanceJunctionRtnJA t0Ambient(PCBM0unt)'* M Approximateweignt T Case Style TO-252AA(D-PAK) “When mounted on 1 " square (650mm2) PCB of FR-4 orG-10 material 4 oz(140um) copper40°C/W Forrecommended footprintand soldering techniques referto application note#AN-994 Rmc Max. Thermal ResistanoeJunction DCoperation tocase |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R0.25D12-1512/H-R | CONV DC/DC 0.25W 15VIN +/-12VOUT |
| AT25020AN-10SU-2.7 | IC EEPROM 2KBIT 20MHZ 8SOIC |
| 8EWS08STR | DIODE STD REC 800V 8A D-PAK |
| AT25020AN-10SU-1.8 | IC EEPROM 2KBIT 20MHZ 8SOIC |
| IXDD414PI | IC MOSFET DRIVER LS 14A SGL 8DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 8EWS10SPBF | 功能描述:DIODE STD REC 1000V 8A D-PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| 8EWS10STRL | 功能描述:整流器 1000 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| 8EWS10STRLPBF | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Standard Recovery Diode |
| 8EWS10STRR | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:SURFACE MOUNTABLE INPUT RECTIFIER DIODE |
| 8EWS12S | 功能描述:整流器 1200 Volt 200 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |