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参数资料
型号： 93AA66/SN
元件分类： PROM
英文描述： 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
封装： 0.150 INCH, PLASTIC, SOIC-8
文件页数： 17/22页
文件大小： 372K
代理商： 93AA66/SN
93AA46/56/66
DS20067J-page 4
2004 Microchip Technology Inc.
TABLE 1-2:
INSTRUCTION SET FOR 93AA46: ORG = 1 (X 16 ORGANIZATION)
TABLE 1-3:
INSTRUCTION SET FOR 93AA46: ORG = 0 (X 8 ORGANIZATION)
TABLE 1-4:
INSTRUCTION SET FOR 93AA56: ORG = 1 (X 16 ORGANIZATION)
TABLE 1-5:
INSTRUCTION SET FOR 93AA56: ORG = 0 (X 8 ORGANIZATION)
Instruction
SB
Opcode
Address
Data In
Data Out
Req. CLK
Cycles
READ
1
10
A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D15 - D0
25
EWEN
1
00
1 1 X X X X
—
High-Z
9
ERASE
1
11
A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
(RDY/BSY)9
ERAL
1
00
1 0 X X X X
—
(RDY/BSY)9
WRITE
1
01
A5 A4 A3 A2 A1 A0
D15 - D0
(RDY/BSY)25
WRAL
1
00
0 1 X X X X
D15 - D0
(RDY/BSY)25
EWDS
1
00
0 0 X X X X
—
High-Z
9
Instruction
SB
Opcode
Address
Data In
Data Out
Req. CLK
Cycles
READ
1
10
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D7 - D0
18
EWEN
1
00
1 1 X X X X X
—
High-Z
10
ERASE
1
11
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
(RDY/BSY)10
ERAL
1
00
1 0 X X X X X
—
(RDY/BSY)10
WRITE
1
01
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D7 - D0
(RDY/BSY)18
WRAL
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0 1 X X X X X
D7 - D0
(RDY/BSY)18
EWDS
1
00
0 0 X X X X X
—
High-Z
10
Instruction
SB
Opcode
Address
Data In
Data Out
Req. CLK
Cycles
READ
1
10
X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D15 - D0
27
EWEN
1
00
1 1 X X X X X X
—
High-Z
11
ERASE
1
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X A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
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—
(RDY/BSY)11
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D15 - D0
(RDY/BSY)27
EWDS
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00
0 0 X X X X X X
—
High-Z
11
Instruction
SB
Opcode
Address
Data In
Data Out
Req. CLK
Cycles
READ
1
10
X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D7 - D0
20
EWEN
1
00
1 1 X X X X X X X
—
High-Z
12
ERASE
1
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X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
(RDY/BSY)12
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—
(RDY/BSY)12
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1
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X A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D7 - D0
(RDY/BSY)20
WRAL
1
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0 1 X X X X X X X
D7 - D0
(RDY/BSY)20
EWDS
1
00
0 0 X X X X X X X
—
High-Z
12
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93AA66XT/SN 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8-256x16 1.8V RP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
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