参数资料
| 型号： | 93AA66B-I/MS |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 9/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8MSOP |
| 标准包装： | 100 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K (256 x 16) |
| 速度： | 1MHz，2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1451 (CN2011-ZH PDF) |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页当前第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页
93AA66A/B/C, 93LC66A/B/C, 93C66A/B/C
2.6
Erase/Write Disable and Enable
(EWDS/EWEN)
To protect against accidental data disturbance, the
EWDS instruction can be used to disable all erase/write
functions and should follow all programming opera-
The 93XX66A/B/C powers up in the Erase/Write
Disable ( EWDS ) state. All Programming modes must be
preceded by an Erase/Write Enable ( EWEN ) instruction.
Once the EWEN instruction is executed, programming
remains enabled until an EWDS instruction is executed
or Vcc is removed from the device.
tions. Execution of a READ instruction is independent of
both the EWEN and EWDS instructions.
FIGURE 2-5:
EWDS TIMING
T CSL
CS
CLK
DI
1
0
0
0
0
x
???
x
FIGURE 2-6:
EWEN TIMING
T CSL
CS
CLK
DI
1
0
0
1
1
x
???
x
2.7 Read
The READ instruction outputs the serial data of the
addressed memory location on the DO pin. A dummy
zero bit precedes the 8-bit (If ORG pin is low or A-Version
devices) or 16-bit (If ORG pin is high or B-version
devices) output string. The output data bits will toggle on
the rising edge of the CLK and are stable after the
specified time delay (T PD ). Sequential read is possible
when CS is held high. The memory data will
automatically cycle to the next register and output
sequentially.
FIGURE 2-7:
CS
CLK
READ TIMING
DI
1
1
0
An
? ? ?
A0
DO
High-Z
0
Dx
???
D0
Dx
???
D0
Dx
???
D0
? 2003-2011 Microchip Technology Inc.
DS21795E-page 9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 93LC56B-E/SN | IC EEPROM 2KBIT 3MHZ 8SOIC |
| 1658686-3 | CONN D-SUB SOCKET 22-28AWG GOLD |
| ABB95DHLD | CONN EDGECARD 190PS .050 DIP SLD |
| 1658670-3 | CONN PIN 22-28AWG CRIMP GOLD FL |
| GCB106DHAS-S621 | CONN EDGECARD 212PS R/A .050 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 93AA66BT-I/MC | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 4K 256X16 SER EE 1.8V IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA66BT-I/MNY | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 4K 256X16 SER EE 1.8V IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA66BT-I/MS | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256x16 - 1.8V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA66BT-I/MSG | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256x16 - 1.8V Lead Free Package RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93AA66BT-I/OT | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256x16 - 1.8V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。