参数资料
| 型号： | 93C46B/ST |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 5/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 1KBIT 2MHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 100 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 1K (64 x 16) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
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93AA46A/B/C, 93LC46A/B/C, 93C46A/B/C
FIGURE 1-1:
CS
V IH
SYNCHRONOUS DATA TIMING
V IL
V IH
T CSS
T CKH
T CKL
T CSH
CLK
V IL
DI
V IH
T DIS
T DIH
DO
(Read)
DO
(Program)
V IL
V OH
V OL
V OH
V OL
T SV
T PD
Status Valid
T PD
T CZ
T CZ
Note:
T SV is relative to CS.
TABLE 1-3: INSTRUCTION SET FOR X16 ORGANIZATION (93XX46B OR 93XX46C WITH ORG = 1 )
Instruction
SB
Opcode
Address
Data In
Data Out
Req. CLK Cycles
ERASE
ERAL
EWDS
EWEN
READ
WRITE
WRAL
1
1
1
1
1
1
1
11
00
00
00
10
01
00
A5
1
0
1
A5
A5
0
A4
0
0
1
A4
A4
1
A3
X
X
X
A3
A3
X
A2
X
X
X
A2
A2
X
A1
X
X
X
A1
A1
X
A0
X
X
X
A0
A0
X
—
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
(RDY/ BSY )
(RDY/ BSY )
High-Z
High-Z
D15 - D0
(RDY/ BSY )
(RDY/ BSY )
9
9
9
9
25
25
25
TABLE 1-4: INSTRUCTION SET FOR X8 ORGANIZATION (93XX46A OR 93XX46C WITH ORG = 0 )
Instruction
ERASE
SB
1
Opcode
11
Address
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
Data In
—
Data Out
(RDY/ BSY )
Req. CLK Cycles
10
ERAL
EWDS
EWEN
1
1
1
00
00
00
1
0
1
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
—
—
—
(RDY/ BSY )
High-Z
High-Z
10
10
10
READ
WRITE
1
1
10
01
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D7 - D0
D7 - D0
(RDY/ BSY )
18
18
WRAL
1
00
0
1
X
X
X
X
X
D7 - D0
(RDY/ BSY )
18
? 2002-2011 Microchip Technology Inc.
DS21749J-page 5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 93C46BT/SN-CUT TAPE | 制造商:Microchip 功能描述:93C46 Series 1 Kbit (64 x 16) 5.5 V Microwire Compatible Serial EEPROM - SOIC-8 |
| 93C46BT/ST | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64x16 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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