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参数资料
| 型号： | 93C46BT-E/MC |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封装： | 2 X 3 MM, 0.90 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-8 |
| 文件页数： | 30/30页 |
| 文件大小： | 548K |
| 代理商： | 93C46BT-E/MC |
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2008 Microchip Technology Inc.
DS21749G-page 9
93AA46A/B/C, 93LC46A/B/C, 93C46A/B/C
2.6
Erase/Write Disable and Enable
(EWDS/EWEN)
The 93XX46A/B/C powers up in the Erase/Write Disable
(EWDS) state. All programming modes must be preceded
by an Erase/Write Enable (EWEN) instruction. Once the
EWEN
instruction is executed, programming remains
enabled until an EWDS instruction is executed or Vcc is
removed from the device.
To protect against accidental data disturbance, the EWDS
instruction can be used to disable all erase/write functions
and should follow all programming operations. Execution
of a READ instruction is independent of both the EWEN and
EWDS
instructions.
FIGURE 2-5:
EWDS TIMING
FIGURE 2-6:
EWEN TIMING
2.7
Read
The READ instruction outputs the serial data of the
addressed memory location on the DO pin. A dummy
zero bit precedes the 8-bit (if ORG pin is low or A-version
devices) or 16-bit (if ORG pin is high or B-version
devices) output string.
The output data bits will toggle on the rising edge of the
CLK and are stable after the specified time delay (TPD).
Sequential read is possible when CS is held high. The
memory data will automatically cycle to the next register
and output sequentially.
FIGURE 2-7:
READ TIMING
CS
CLK
DI
10
00
0
x
x
TCSL
1x
CS
CLK
DI
00
1
x
TCSL
CS
CLK
DI
DO
11
0
AN
A0
High-Z
0
Dx
D0
Dx
D0
Dx
D0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 93LC46CXT-I/SNG | 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93LC46CT-I/SN | 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93C46BXT-I/SN | 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93AA46AT-I/MC | 128 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93AA46BXT-I/ST | 64 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 93C46BT-I/MC | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1K 64X16 SER EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93C46BT-I/MCG | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:1K Microwire Compatible Serial EEPROM |
| 93C46BT-I/MNY | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1K 64 X 16 SERIAL EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93C46BT-I/MS | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64x16 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93C46BT-I/MSG | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64x16 Lead Free Package RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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