参数资料
| 型号： | 93C66BT-I/MC |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 5/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8DFN |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K (256 x 16) |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（2x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1452 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 93C66BT-I/MCDKR |
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93AA66A/B/C, 93LC66A/B/C, 93C66A/B/C
FIGURE 1-1:
CS
V IH
SYNCHRONOUS DATA TIMING
CLK
V IL
V IH
T CSS
T CKH
T CKL
T CSH
V IL
DI
V IH
T DIS
T DIH
DO
(Read)
DO
(Program)
V IL
V OH
V OL
V OH
V OL
T SV
T PD
Status Valid
T PD
T CZ
T CZ
Note: T SV is relative to CS.
TABLE 1-3: INSTRUCTION SET FOR X16 ORGANIZATION (93XX66B OR 93XX66C WITH ORG = 1 )
Instruction
ERASE
SB
1
Opcode
11
Address
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
Data In
—
Data Out
(RDY/ BSY )
Req. CLK Cycles
11
ERAL
EWDS
EWEN
1
1
1
00
00
00
1
0
1
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
—
—
—
(RDY/ BSY )
High-Z
High-Z
11
11
11
READ
WRITE
1
1
10
01
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D15 – D0
D15 – D0
(RDY/ BSY )
27
27
WRAL
1
00
0
1
X
X
X
X
X
X
D15 – D0
(RDY/ BSY )
27
TABLE 1-4: INSTRUCTION SET FOR X8 ORGANIZATION (93XX66A OR 93XX66C WITH ORG = 0 )
Instruction
ERASE
SB
1
Opcode
11
Address
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
Data In
—
Data Out
(RDY/ BSY )
Req. CLK
Cycles
12
ERAL
EWDS
EWEN
1
1
1
00
00
00
1
0
1
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
—
—
—
(RDY/ BSY )
High-Z
High-Z
12
12
12
READ
WRITE
1
1
10
01
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
D7 – D0
D7 – D0
(RDY/ BSY )
20
20
WRAL
1
00
0
1
X
X
X
X
X
X
X
D7 – D0
(RDY/ BSY )
20
? 2003-2011 Microchip Technology Inc.
DS21795E-page 5
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