参数资料
| 型号： | 93C66CT-E/ST |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 3MHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K（512 x 8 或 256 x 16） |
| 速度： | 3MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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93AA66A/B/C, 93LC66A/B/C, 93C66A/B/C
2.5 Erase All (ERAL)
The Erase All ( ERAL ) instruction will erase the entire
memory array to the logical ‘ 1 ’ state. The ERAL cycle
is identical to the erase cycle, except for the different
opcode. The ERAL cycle is completely self-timed and
commences at the falling edge of the CS, except on
‘93C’ devices where the rising edge of CLK before the
last data bit initiates the write cycle. Clocking of the
CLK pin is not necessary after the device has entered
the ERAL cycle.
The DO pin indicates the Ready/ Busy status of the
device, if CS is brought high after a minimum of 250 ns
low (T CSL ).
Note: Issuing a Start bit and then taking CS low
will clear the Ready/ Busy status from DO.
V CC must be ? 4.5V for proper operation of ERAL.
FIGURE 2-3:
CS
CLK
ERAL TIMING FOR 93AA AND 93LC DEVICES
T CSL
Check Status
DI
1
0
0
1
0
x
???
x
T SV
T CZ
DO
High-Z
Busy
Ready
High-Z
T EC
V CC must be ? 4.5V for proper operation of ERAL.
FIGURE 2-4:
ERAL TIMING FOR 93C DEVICES
T CSL
CS
CLK
Check Status
DI
1
0
0
1
0
x
???
x
T SV
T CZ
DO
High-Z
Busy
Ready
High-Z
T EC
DS21795E-page 8
? 2003-2011 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 93C66CT-I/CH | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:1K-16K Microwire Compatible Serial EEPROMs |
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| 93C66CT-I/MCG | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:4K Microwire Compatible Serial EEPROM |
| 93C66CT-I/MNY | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 4K 512X8 OR 256X16 SER EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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