参数资料
| 型号： | 93C76AT-I/MS |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 9/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 8KBIT 1024X8 8-MSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 3MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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93AA76A/B/C, 93LC76A/B/C, 93C76A/B/C
2.9
Write All (WRAL)
The DO pin indicates the Ready/ Busy status of the
The Write All ( WRAL ) instruction will write the entire
memory array with the data specified in the command.
device if CS is brought high after a minimum of 250 ns
low (T CSL ).
The self-timed auto-erase and programming cycle is
initiated by the rising edge of CLK on the last data bit.
Clocking of the CLK pin is not necessary after the
device has entered the WRAL cycle. The WRAL
command includes an automatic ERAL cycle for the
device, so the WRAL instruction does not require an
ERAL instruction. However, the chip must be in the
EWEN status.
Note:
Note:
The write sequence requires a logic high
signal on the PE pin prior to the rising
edge of the last data bit.
After the Write All cycle is complete,
issuing a Start bit and then taking CS low
will clear the Ready/ Busy status from DO.
V CC must be ? 4.5V for proper operation of WRAL.
FIGURE 2-7:
WRAL TIMING
T CSL
CS
CLK
DI
1
0
0
0
1
x
???
x
Dx
???
D0
T SV
T CZ
DO
High-Z
Busy
Ready
H IGH -Z
T WL
? 2003-2012 Microchip Technology Inc.
DS21796M-page 9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 93C76A-I/ST | IC EEPROM 8KBIT 1024X8 8-TSSOP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 93C76B | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:8K Microwire Compatible Serial EEPROM |
| 93C76B-E/CH | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:1K-16K Microwire Compatible Serial EEPROMs |
| 93C76B-E/MC | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:8K Microwire Compatible Serial EEPROM |
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| 93C76BE/MS | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:8K Microwire Compatible Serial EEPROM |
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