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参数资料
| 型号： | 93C86AT-I/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 5/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 16KBIT 2048X8 8-SOIC |
| 标准包装： | 3,300 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 3MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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93AA86A/B/C, 93LC86A/B/C, 93C86A/B/C
FIGURE 1-1:
CS
V IH
SYNCHRONOUS DATA TIMING
V IL
V IH
T CSS
T CKH
T CKL
T CSH
CLK
V IL
DI
V IH
V IL
T DIS
T DIH
DO
V OH
T PD
T PD
T CZ
(Read)
DO
(Program)
V OL
V OH
V OL
T SV
Status Valid
T CZ
Note: T SV is relative to CS.
TABLE 1-3: INSTRUCTION SET FOR X16 ORGANIZATION (93XX86B OR 93XX86C WITH ORG = 1 )
Instruction
READ
SB
1
Opcode
10
Address
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
Data In
—
Data Out
D15-D0
Req. CLK
Cycles
29
EWEN
1
00
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
—
HighZ
13
ERASE
1
11
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
(RDY/ BSY )
13
ERAL
1
00
1
0
X
X
X
X
X
X
X
X
—
(RDY/ BSY )
13
WRITE
1
01
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D15-D0
(RDY/ BSY )
29
WRAL
EWDS
1
1
00
00
0
0
1
0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
D15-D0
—
(RDY/ BSY )
High-Z
29
13
TABLE 1-4: INSTRUCTION SET FOR X8 ORGANIZATION (93XX86A OR 93XX86C WITH ORG = 0 )
Instruction
READ
SB
1
Opcode
10
Address
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
Data In
—
Data Out
D7-D0
Req. CLK
Cycles
22
EWEN
1
00
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
—
High-Z
14
ERASE
1
11
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
—
(RDY/ BSY )
14
ERAL
1
00
1
0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
—
(RDY/ BSY )
14
WRITE
1
01
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D7-D0
(RDY/ BSY )
22
WRAL
EWDS
1
1
00
00
0
0
1
0
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
D7-D0
—
(RDY/ BSY )
High-Z
22
14
? 2003-2012 Microchip Technology Inc.
DS21797L-page 5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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