参数资料
| 型号： | 93C86CT-E/MS |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 9/38页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 16KBIT 3MHZ 8MSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 16K（2K x 8 或 1K x 16） |
| 速度： | 3MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-MSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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93AA86A/B/C, 93LC86A/B/C, 93C86A/B/C
2.8
Write
The DO pin indicates the Ready/ Busy status of the
The WRITE instruction is followed by 8 bits (If ORG is
low or A-version devices) or 16 bits (If ORG pin is high
or B-version devices) of data which are written into the
specified address. The self-timed auto-erase and
programming cycle is initiated by the rising edge of CLK
on the last data bit.
device, if CS is brought high after a minimum of 250 ns
low (T CSL ). DO at logical ‘ 0 ’ indicates that programming
is still in progress. DO at logical ‘ 1 ’ indicates that the
register at the specified address has been written with
the data specified and the device is ready for another
instruction.
Note:
Note:
The write sequence requires a logic high
signal on the PE pin prior to the rising
edge of the last data bit.
After the Write cycle is complete, issuing a
Start bit and then taking CS low will clear
the Ready/ Busy status from DO
FIGURE 2-6:
WRITE TIMING
T CSL
CS
CLK
DI
1
0
1
A N
???
A0
Dx
???
D0
T SV
T CZ
DO
High-Z
Busy
Ready
High-Z
T WC
? 2003-2012 Microchip Technology Inc.
DS21797L-page 9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 93C86CTEMSG | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:16K Microwire Compatible Serial EEPROM |
| 93C86CTEOTG | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:16K Microwire Compatible Serial EEPROM |
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