参数资料
型号: 93LC56T/SN
厂商: Microchip Technology
文件页数: 5/20页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM 2KBIT 2MHZ 8SOIC
标准包装: 3,300
格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 2K(256 x 8 或 128 x 16)
速度: 1MHz,2MHz
接口: Microwire 3 线串行
电源电压: 2.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
93LC46/56/66
TABLE 1-5:
INSTRUCTION SET FOR 93LC66: ORG = 1 (X 16 ORGANIZATION)
Instruction
READ
EWEN
ERASE
ERAL
WRITE
WRAL
EWDS
SB
1
1
1
1
1
1
1
Opcode
10
00
11
00
01
00
00
Address
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
11XXXXXX
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
10XXXXXX
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
01XXXXXX
00XXXXXX
Data In
D15 - D0
D15 - D0
Data Out
D15 - D0
High-Z
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
High-Z
Req. CLK
Cycles
27
11
11
11
27
27
11
TABLE 1-6:
INSTRUCTION SET FOR 93LC66: ORG = 0 (X 8 ORGANIZATION)
Instruction
READ
EWEN
ERASE
ERAL
WRITE
WRAL
EWDS
SB
1
1
1
1
1
1
1
Opcode
10
00
11
00
01
00
00
Address
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
11XXXXXXX
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
10XXXXXXX
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
01XXXXXXX
00XXXXXXX
Data In
D7 - D0
D7 - D0
Data Out
D7 - D0
High-Z
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
High-Z
Req. CLK
Cycles
20
12
12
12
20
20
12
? 2004 Microchip Technology Inc.
DS21712B-page 5
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PDF描述
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