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参数资料
| 型号： | 93LC66A-I/PG |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 512 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDIP8 |
| 封装： | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 |
| 文件页数： | 2/30页 |
| 文件大小： | 550K |
| 代理商： | 93LC66A-I/PG |
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93AA66A/B/C, 93LC66A/B/C, 93C66A/B/C
DS21795D-page 10
2008 Microchip Technology Inc.
2.8
Write
The WRITE instruction is followed by 8 bits (If ORG is
low or A-version devices) or 16 bits (If ORG pin is high
or B-version devices) of data which are written into the
specified address. For 93AA66A/B/C and 93LC66A/B/C
devices, after the last data bit is clocked into DI, the
falling edge of CS initiates the self-timed auto-erase and
programming cycle. For 93C66A/B/C devices, the self-
timed auto-erase and programming cycle is initiated by
the rising edge of CLK on the last data bit.
The DO pin indicates the Ready/Busy status of the
device, if CS is brought high after a minimum of 250 ns
low (TCSL). DO at logical ‘0’ indicates that programming
is still in progress. DO at logical ‘1’ indicates that the
register at the specified address has been written with
the data specified and the device is ready for another
instruction.
Note:
Issuing a Start bit and then taking CS low
will clear the Ready/Busy status from DO.
FIGURE 2-8:
WRITE TIMING FOR 93AA AND 93LC DEVICES
FIGURE 2-9:
WRITE TIMING FOR 93C DEVICES
CS
CLK
DI
DO
1
0
1
AN
A0
Dx
D0
Busy
Ready
High-Z
TWC
TCSL
TCZ
TSV
CS
CLK
DI
DO
1
0
1
AN
A0
Dx
D0
Busy
Ready
High-Z
TWC
TCSL
TCZ
TSV
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 93LC66AX-I/SNG | 512 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93AA66AX-I/MS | 512 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93C66A-I/MSG | 512 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93C66A-E/ST | 512 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 93C66CT-I/MS | 256 X 16 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 93LC66AT/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93LC66AT/ST | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93LC66AT-E/MNY | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 4K 512X8 SER EE,EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93LC66AT-E/MS | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93LC66AT-E/MSG | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8 Lead Free Package RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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