参数资料
型号: 93LC66A-I/SNG
元件分类: PROM
英文描述: 512 X 8 MICROWIRE BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
封装: 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8
文件页数: 26/30页
文件大小: 550K
代理商: 93LC66A-I/SNG
2008 Microchip Technology Inc.
DS21795D-page 5
93AA66A/B/C, 93LC66A/B/C, 93C66A/B/C
FIGURE 1-1:
SYNCHRONOUS DATA TIMING
TABLE 1-3:
INSTRUCTION SET FOR X16 ORGANIZATION (93XX66B OR 93XX66C WITH ORG = 1)
TABLE 1-4:
INSTRUCTION SET FOR X8 ORGANIZATION (93XX66A OR 93XX66C WITH ORG = 0)
Instruction
SB
Opcode
Address
Data In
Data Out
Req. CLK Cycles
ERASE
1
11
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
(RDY/BSY)11
ERAL
1
00
10XXXXXX
—(RDY/BSY)11
EWDS
1
00
00XXXXXX
High-Z
11
EWEN
1
00
11XXXXXX
High-Z
11
READ
1
10
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D15 – D0
27
WRITE
1
01
A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D15 – D0
(RDY/BSY)27
WRAL
1
00
01XXXXXX
D15 – D0
(RDY/BSY)27
Instruction
SB
Opcode
Address
Data In
Data Out
Req. CLK
Cycles
ERASE
1
11
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
(RDY/BSY)12
ERAL
1
00
10
X
XXX
(RDY/BSY)12
EWDS
1
00
X
XXX
High-Z
12
EWEN
1
00
11
X
XXX
High-Z
12
READ
1
10
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D7 – D0
20
WRITE
1
01
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D7 – D0
(RDY/BSY)20
WRAL
1
00
01
X
XXX
D7 – D0
(RDY/BSY)20
CS
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
VOH
VOL
CLK
DI
DO
(Read)
DO
(Program)
TCSS
TDIS
TCKH
TCKL
TDIH
TPD
TCSH
TPD
TCZ
Status Valid
TSV
TCZ
Note:
TSV is relative to CS.
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PDF描述
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93LC66AT-E/MNY 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 4K 512X8 SER EE,EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
93LC66AT-E/MS 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
93LC66AT-E/MSG 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512x8 Lead Free Package RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8