参数资料
| 型号： | 93LC76/SN |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 5/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 8KBIT 3MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 8K（1K x 8 或 512 x 16） |
| 速度： | 2MHz，3MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 6.0 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
93LC76/86
TABLE 1-3:
INSTRUCTION SET FOR 93LC76: ORG= 1 (1X16 ORGANIZATION)
Instruction
SB
Opcode
Address
Data In
Data Out
Req. CLK
Cycles
READ
EWEN
ERASE
ERAL
WRITE
WRAL
EWDS
1
1
1
1
1
1
1
10
00
11
00
01
00
00
X A8 A7 A6 A5 A4 A3
1 1 X X X X X
X A8 A7 A6 A5 A4 A3
1 0 X X X X X
X A8 A7 A6 A5 A4 A3
0 1 X X X X X
0 0 X X X X X
A2
X
A2
X
A2
X
X
A1
X
A1
X
A1
X
X
A0
X
A0
X
A0
X
X
—
—
—
—
D15 - D0
D15 - D0
—
D15 - D0
High-Z
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
High-Z
29
13
13
13
29
29
13
TABLE 1-4:
INSTRUCTION SET FOR 93LC76: ORG= 0 (X8 ORGANIZATION)
Instruction
SB
Opcode
Address
Data In
Data Out
Req. CLK
Cycles
READ
EWEN
ERASE
ERAL
WRITE
WRAL
EWDS
1
1
1
1
1
1
1
10
00
11
00
01
00
00
X A9 A8 A7 A6 A5 A4
1 1 X X X X X
X A9 A8 A7 A6 A5 A4
1 0 X X X X X
X A9 A8 A7 A6 A5 A4
0 1 X X X X X
0 0 X X X X X
A3
X
A3
X
A3
X
X
A2
X
A2
X
A2
X
X
A1 A0
X
A1 A0
X
A1 A0
X
X
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
D7 - D0
High-Z
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
High-Z
22
14
14
14
22
22
14
TABLE 1-5:
INSTRUCTION SET FOR 93LC86: ORG= 1 (X16 ORGANIZATION)
Instruction
SB
Opcode
Address
Data In
Data Out
Req. CLK
Cycles
READ
EWEN
ERASE
ERAL
WRITE
WRAL
EWDS
1
1
1
1
1
1
1
10
00
11
00
01
00
00
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3
1 1 X X X X X
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3
1 0 X X X X X
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3
0 1 X X X X X
0 0 X X X X X
A2
X
A2
X
A2
X
X
A1
X
A1
X
A1
X
X
A0 —
X —
A0 —
X —
A0 D15 - D0
X D15 - D0
X —
D15 - D0
High-Z
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
High-Z
29
13
13
13
29
29
13
TABLE 1-6:
INSTRUCTION SET FOR 93LC86: ORG= 0 (X8 ORGANIZATION)
Instruction
SB
Opcode
Address
Data In
Data Out
Req. CLK
Cycles
READ
EWEN
ERASE
ERAL
WRITE
WRAL
EWDS
1
1
1
1
1
1
1
10
00
11
00
01
00
00
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4
1 1 X X X X X
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4
1 0 X X X X X
A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4
0 1 X X X X X
0 0 X X X X X
A3
X
A3
X
A3
X
X
A2
X
A2
X
A2
X
X
A1 A0
X
A1 A0
X
A1 A0
X
X
—
—
—
—
D7 - D0
D7 - D0
—
D7 - D0
High-Z
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
(RDY/BSY)
High-Z
22
14
14
14
22
22
14
? 2010 Microchip Technology Inc.
DS21131F-page 5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 93LC76T/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 516x8 Or 1024x8 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93LC76T-I/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 516x8 Or 1024x8 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93LC86/P | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1024x16-2048x8 PDIP8 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 93LC86-/P | 制造商:Microchip Technology 功能描述:16k(2k~8 / 1k~16) 2MHz 2.5V to 5.5V VA / Microwire 8DIP Bulk |
| 93LC86/P | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:EEPROM IC Memory Type:Serial EEPROM |
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