参数资料
型号: 93LC76C-I/P
厂商: Microchip Technology
文件页数: 4/36页
文件大小: 0K
描述: IC EEPROM 8KBIT 3MHZ 8DIP
标准包装: 60
格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
存储器类型: EEPROM
存储容量: 8K(1K x 8 或 512 x 16)
速度: 2MHz,3MHz
接口: Microwire 3 线串行
电源电压: 2.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 8-PDIP
包装: 管件
产品目录页面: 1452 (CN2011-ZH PDF)
93AA76A/B/C, 93LC76A/B/C, 93C76A/B/C
FIGURE 1-1:
CS
V IH
SYNCHRONOUS DATA TIMING
V IL
V IH
T CSS
T CKH
T CKL
T CSH
CLK
V IL
DI
V IH
V IL
T DIS
T DIH
DO
V OH
T PD
T PD
T CZ
(Read)
DO
(Program)
V OL
V OH
V OL
T SV
Status Valid
T CZ
Note:
T SV is relative to CS.
TABLE 1-3: INSTRUCTION SET FOR X16 ORGANIZATION (93XX76B OR 93XX76C WITH ORG = 1 )
Instruction
SB
Opcode
Address
Data In
Data Out
Req. CLK
Cycles
READ
1
10
X
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D15-D0
29
EWEN
1
00
1
1
x
x
x
x
x
x
x
x
High-Z
13
ERASE
1
11
X
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
(RDY/ BSY )
13
ERAL
1
00
1
0
X
X
X
X
X
X
X
X
(RDY/ BSY )
13
WRITE
1
01
X
A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D15-D0
(RDY/ BSY )
29
WRAL
EWDS
1
1
00
00
0
0
1
0
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
D15-D0
(RDY/ BSY )
High-Z
29
13
TABLE 1-4: INSTRUCTION SET FOR X8 ORGANIZATION (93XX76A OR 93XX76C WITH ORG = 0 )
Instruction
SB
Opcode
Address
Data In
Data Out
Req. CLK
Cycles
READ
1
10
X
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D7-D0
22
EWEN
1
00
1
1
x
x
x
x
x
x
x
x
x
High-Z
14
ERASE
1
11
X
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
(RDY/ BSY )
14
ERAL
1
00
1
0
x
x
x
x
x
x
x
x
x
(RDY/ BSY )
14
WRITE
1
01
X
A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
D7-D0
(RDY/ BSY )
22
WRAL
EWDS
1
1
00
00
0
0
1
0
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
D7-D0
(RDY/ BSY )
High-Z
22
14
DS21796M-page 4
? 2003-2012 Microchip Technology Inc.
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93LC76CT-E/MS 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 516x8 Or 1024x8 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
93LC76CT-E/SN 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 516x8 Or 1024x8 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8
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