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参数资料
| 型号： | 9474 |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | POWER SCHOTTKY RECTIFIER |
| 中文描述： | 功率肖特基整流器 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 60K |
| 代理商： | 9474 |
STPS3150/U
3/5
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
T
δ
=tp/T
tp
t (s)
SMB
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Single pulse
Fig. 4-1:
Relative variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration (SMB).
Z
/R
th(j-c)
th(j-c)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
T
δ
=tp/T
tp
t (s)
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
Single pulse
DO-201AD
Fig. 4-2:
Relative variation of thermal impedance
junction
to
ambient
versus
(DO-201AD).
pulse
duration
I (μA)
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
0
25
50
75
100
125
150
V (V)
T=125°C
j
T=150°C
j
T=100°C
j
T=50°C
j
T=25°C
T=75°C
Fig. 5:
Reverse leakage current versus reverse
voltage applied (typical values).
C(nF)
10
100
1000
1
10
100
1000
F=1MHz
=30mV
T=25°C
j
V
OSC
RMS
V (V)
Fig. 6:
Junction capacitance versus reverse
voltage applied (typical values).
I
(A)
FM
1
10
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
V
(V)
FM
T=25°C
j
(maximum values)
T=125°C
(typical values)
(maT=125°C
Fig. 7:
Forward voltage drop versus forward
current.
R
(°C/W)
th(j-a)
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
S(cm2)
SMB
Fig. 8:
Thermal resistance junction to ambient
versus copper surface under each lead (Epoxy
printed circuit board FR4, Cu: 35μm) (SMB).
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PDF描述 |
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