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2SD1899-Z-E2

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2SD1899-Z-E2 技术参数
  • 2SD1898T100R 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD1898T100Q 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):120 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1 2SD1898T100P 功能描述:TRANS NPN 80V 1A SOT-89 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:Not Recommended For New Designs 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):82 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:2W 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:MPT3 标准包装:1,000 2SD1867TV2 功能描述:TRANS NPN DARL 100V 2A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:80MHz 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SD1866TV2 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 2A ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:带盒(TB) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN - 达林顿 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1.5V @ 1mA,1A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):1000 @ 1A,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 安装类型:通孔 封装/外壳:3-SIP 供应商器件封装:ATV 标准包装:2,500 2SD1979GSL 2SD1980TL 2SD1991A0A 2SD1991ARA 2SD1992A0A 2SD1994ARA 2SD1994ASA 2SD19960RA 2SD19960SA 2SD19960TA 2SD20000P 2SD2012 2SD2014 2SD2015 2SD2016 2SD2017 2SD2018 2SD2033AT114E
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