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AOD438L

配单专家企业名单
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  • AOD438L
    AOD438L

    AOD438L

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6256544762566447

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室

    资质:营业执照

  • 5000

  • AO

  • TO-252/D-PAK

  • 06+07+

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • AOD438L
    AOD438L

    AOD438L

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 5000

  • isc,iscsemi

  • DPAK/TO-252

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • AOD438L
    AOD438L

    AOD438L

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 8650000

  • AOS

  • TO-252

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • 1/1页 40条/页 共8条 
  • 1
AOD438L PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全称
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD438L 技术参数
  • AOD4286 功能描述:MOSFET N CH 100V 4A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta),14A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):68 毫欧 @ 5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):390pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:2,500 AOD425_001 功能描述:MOSFET P-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),50A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):38nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2200pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),71W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:2,500 AOD425 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),50A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):17 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2200pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD424 功能描述:MOSFET N-CH 20V 18A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta),45A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.4 毫欧 @ 20A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4630pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD423 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):15A(Ta),70A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.2 毫欧 @ 20A,20V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):65nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2760pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:2,500 AOD454A AOD456 AOD456A AOD458 AOD464 AOD468 AOD472 AOD472A AOD474 AOD474A AOD474B AOD476 AOD478 AOD480 AOD482 AOD484 AOD486A AOD492
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