AOD425_001

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功能描述
MOSFET P-CH TO252
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
停產
FET 类型
P 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
9A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
38nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2200pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），71W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
17 毫欧 @ 20A，10V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
标准包装
2,500

AOD425_001 技术参数

AOD425 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A（Ta），50A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:17 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:38nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2200pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD424 功能描述:MOSFET N-CH 20V 18A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:18A（Ta），45A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.4 毫欧 @ 20A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4630pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD423 功能描述:MOSFET P-CH 30V 15A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），70A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.2 毫欧 @ 20A，20V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2760pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:2,500 AOD421_001 功能描述:MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:620pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD421 功能描述:MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:620pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:2,500 AOD452AL_008 AOD454A AOD456 AOD456A AOD458 AOD464 AOD468 AOD472 AOD472A AOD474 AOD474A AOD474B AOD476 AOD478 AOD480 AOD482 AOD484 AOD486A