AOD421_001

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AOD421_001
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Alpha & Omega Semiconduct
TO-252，
17+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
带卷（TR）
零件状态
过期
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12.5A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
75 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
4.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
620pF @ 10V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
标准包装
1

AOD421_001 技术参数

AOD421 功能描述:MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 12.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:620pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:2,500 AOD418G 功能描述:MOSFET N-CH 30V DPAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:初步 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13.5A（Ta），36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:24nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 AOD4189 功能描述:MOSFET P-CH 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:22 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:41nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1870pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD4186 功能描述:MOSFET N-CH 40V 10A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta），35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1200pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:2,500 AOD4185L_DELTA 功能描述:MOSFET P-CH 40V TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購标准包装:2,500 AOD446_001 AOD450 AOD4504 AOD452 AOD452AL_008 AOD454A AOD456 AOD456A AOD458 AOD464 AOD468 AOD472 AOD472A AOD474 AOD474A AOD474B AOD476 AOD478