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AOD4185L_DELTA

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  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 40V TO252
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 零件状态
  • 最後搶購
  • 标准包装
  • 2,500
AOD4185L_DELTA 技术参数
  • AOD4185L_003 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):18.6nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2550pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:2,500 AOD4185L 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:初步 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):55nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2550pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:2,500 AOD4185_DELTA 功能描述:MOSFET P-CH 40V TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:2,500 AOD4185_003 功能描述:MOSFET P-CH 40V TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:2,500 AOD4185 功能描述:MOSFET P-CH 40V 40A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2550pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD4286 AOD442 AOD444 AOD4454 AOD446 AOD446_001 AOD450 AOD4504 AOD452 AOD452AL_008 AOD454A AOD456 AOD456A AOD458 AOD464 AOD468 AOD472 AOD472A
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