AOD607L

配单专家企业名单

型号
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数量
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批号
价格
说明
操作

AOD607L
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6256544762566447
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1010室
资质：营业执照
5000
AO
TO-252/D-PAK
06+07+
-
假一罚十，百分百原装正品

AOD607L
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
6750
isc,iscsemi
DPAK/TO-252
2024+
-
国产品牌，可替代原装

AOD607L
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
8650000
AOS
SOT-252
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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制造商
AOSMD
制造商全称
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

AOD607L 技术参数

AOD607A 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/12A TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A（Tc），12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 8A，10V，27 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA，2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V，12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:395pF @ 15V，730pF @ 15V 功率 - 最大值:19W（Tc），30W（Tc）工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOD607_DELTA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 12A，10V，37 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA，2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12.5nC @ 4.5V，11.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1250pF @ 15V，1100pF @ 15V 功率 - 最大值:25W（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOD607_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOD607 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道，共漏 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1250pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:2,500 AOD606 功能描述:MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道，共漏 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:33 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:9.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:404pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W，1.7W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD 供应商器件封装:TO-252-4L 标准包装:1 AOD9N40 AOD9N50 AOD9T40P AOE6922 AOE6930 AOE6932 AOE6936 AO-FMEM-SMAM AO-FME-SMA AOH3106 AOH3110 AOH3254 AOI11S60 AOI1N60 AOI1N60L AOI206_002 AOI208 AOI2210