ALD1115SAL

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

ALD1115SAL
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
13225
GAOYI/高怡电子
SOP-8
21+
-
原厂原装现货

ALD1115SAL
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
Advanced Linear Devices I
8-SOIC
17+
-
全新原装现货

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功能描述
MOSFET Comp N-Channel & P-Channel
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

ALD1115SAL 技术参数

ALD1115PAL 功能描述:MOSFET N/P-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1800 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD1115MAL 功能描述:MOSFET N/P-CH 10.6V 8MSOP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道互补型 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1800 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）供应商器件封装:8-MSOP 标准包装:50 ALD1110ESAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:600mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD1110EPAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.01V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:600mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm）供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD110914SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道（双）配对 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:10.6V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12mA，3mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:500 欧姆 @ 5.4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.42V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2.5pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD111933SAL ALD112 ALD114804APCL ALD114804ASCL ALD114804PCL ALD114804SCL ALD114813PCL ALD114813SCL ALD114835PCL ALD114835SCL ALD114904APAL ALD114904ASAL ALD114904PAL ALD114904SAL ALD114913PAL ALD114913SAL ALD114935PAL ALD114935SAL