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ALD212914SAL

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 5000

  • ADVANCED

  • 1521+

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  • ALD212914SAL
    ALD212914SAL

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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

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    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • Advanced Linear Devices I

  • 8-SOIC

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

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  • 制造商
  • Advanced Linear Devices Inc
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 10V 79MA 8SOIC
ALD212914SAL 技术参数
  • ALD212914PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)配对 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD212908SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)配对 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD212908PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)配对 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD212908ASAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)配对 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:50 ALD212908APAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:EPAD?,Zero Threshold? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)配对 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):10.6V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80mA 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):20mV @ 10μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):- 功率 - 最大值:500mW 工作温度:0°C ~ 70°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 供应商器件封装:8-PDIP 标准包装:50 ALD2301SAL ALD2302APAL ALD2302ASAL ALD2302PAL ALD2302SAL ALD2303APAL ALD2303ASAL ALD2303PAL ALD2303SAL ALD2321APCL ALD2321ASCL ALD2321BPCL ALD2321BSCL ALD2321PCL ALD2321SCL ALD2331APAL ALD2331ASAL ALD2331BPAL
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