AO3415/AFAA

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AO3415/AFAA 技术参数

AO3415 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 4A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1450pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:1 AO3414L_105 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購标准包装:3,000 AO3414L 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 20V 3A SOT23-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:初步 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:3.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:320pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:62 毫欧 @ 3A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:SOT-23-3 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000 AO3414 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 4.2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.2nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:436pF @ 10V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:1 AO3413 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:97 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:540pF @ 10V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3L 标准包装:1 AO3418_101 AO3419 AO3419_101 AO3420 AO3420L AO3420L_103 AO3421 AO3421E AO3421L AO3422 AO3423 AO3423_102 AO3424 AO3424_102 AO3434 AO3434A AO3435 AO3438