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AO4307

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AO4307 技术参数
  • AO4306 功能描述:MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:在售 标准包装:3,000 AO4304_001 功能描述:MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:上次购买时间 标准包装:3,000 AO4304 功能描述:MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):18A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1920pF @ 15V 功率 - 最大值:3.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4302 功能描述:MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3470pF @ 15V 功率 - 最大值:3.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4296 功能描述:MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):60nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3130pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.3 毫欧 @ 13.5A, 10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SOIC 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 标准包装:3,000 AO4404BL_101 AO4405E AO4405L AO4406 AO4406A AO4407A AO4407B AO4407BL AO4407L AO4409 AO4411 AO4411L AO4413 AO4413L AO4415 AO4419 AO4419_003 AO4419L
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