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AO4405 其他被动元件

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AO4405 其他被动元件 技术参数
  • AO4404BL_101 功能描述:MOSFET N-CH 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.45V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):630pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 8.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-SO 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 标准包装:3,000 AO4404BL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1100pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4404B 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):24 毫欧 @ 8.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1100pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4403L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):46 毫欧 @ 6.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1128pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4403 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):46 毫欧 @ 6.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1128pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4411 AO4411L AO4413 AO4413L AO4415 AO4419 AO4419_003 AO4419L AO4420A AO4421 AO4421L AO4423 AO4423L AO4425 AO4427 AO4430 AO4433 AO4435
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