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AO4422L

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

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  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

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    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

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  • 深圳市深美诺电子科技有限公司
    深圳市深美诺电子科技有限公司

    联系人:李燕兵

    电话:82525918

    地址:深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室

    资质:营业执照

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  • 全新原装现货供应

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  • 深圳市澳亿芯电子科技有限公司
    深圳市澳亿芯电子科技有限公司

    联系人:李先生

    电话:86-755-8450174913760200702

    地址:深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706

    资质:营业执照

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  • 北京京华特科技有限公司
    北京京华特科技有限公司

    联系人:张小姐/韩先生

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  • 绝对全新原装现货.价格优惠.欢迎查询!1...

  • AO4422L
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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512微信同号

    地址:上步工业区501栋410室

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

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  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-23984783

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    资质:营业执照

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AO4422L PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
AO4422L 技术参数
  • AO4421L 功能描述:MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 6.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2900pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4421 功能描述:MOSFET P-CH 60V 6.2A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6.2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 6.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2900pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4420A 功能描述:MOSFET N CH 30V 13.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 13.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):36nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4050pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AO4419L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 9.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1900pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4419_003 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 9.7A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):32nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1900pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 AO4435L_102 AO4437 AO4437L AO4438 AO4438_101 AO4440 AO4441 AO4442 AO4443 AO4444 AO4446 AO4447 AO4447A AO4448 AO4448L AO4449 AO4449L AO4450
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