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AO7401 MOS(场效应管)

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  • AO7401 MOS(场效应管)
    AO7401 MOS(场效应管)

    AO7401 MOS(场效应管)

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

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    地址:上步工业区501栋410室

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  • AO7401 MOS(场效应管)
    AO7401 MOS(场效应管)

    AO7401 MOS(场效应管)

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

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AO7401 MOS(场效应管) PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
AO7401 MOS(场效应管) 技术参数
  • AO7401 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.4A SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 1.2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.06nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):409pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3 标准包装:1 AO7400 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):85 毫欧 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.82nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):390pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3 标准包装:1 AO6810 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):50 毫欧 @ 3.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):210pF @ 15V 功率 - 最大值:1.15W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6808_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):780pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:1 AO6808 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 4.6A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.6A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):23 毫欧 @ 6A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):780pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-TSOP 标准包装:3,000 AO7412 AO7413 AO7413_030 AO7414 AO7414_001 AO7415 AO7417 AO7600 AO7600_001 AO7800 AO7801 AO8801 AO8801A AO8801AL AO8801L AO8803 AO8804 AO8804_100
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