AOB10T60PL

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1/1页 40条/页共8条
1

您是不是要找： AOB1100L AOB11C60 AOB11C60L AOB11N60L AOB11S60L AOB11S65L AOB12N50L AOB12N60FDL AOB12N65L

AOB10T60PL PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AOB10T60PL PDF下载

功能描述
MOSFET N-CH 600V 10A TO263
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包装
剪切带（CT）
零件状态
停产
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
700毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1595pF @ 100V
功率 - 最大值
208W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装
TO-263（D2Pak）
标准包装
1

AOB10T60PL 技术参数

AOB10N60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:750 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 AOB10B65M1 功能描述:IGBT 650V 10A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，10A 功率 - 最大值:150W 开关能量:180μJ（开），130μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:24nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/91ns 测试条件:400V，10A，30 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:262ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:1 AOB10B60D 功能描述:IGBT 600V 20A 163W Surface Mount TO-263 (D2Pak) 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:20A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.8V @ 15V，10A 功率 - 最大值:163W 开关能量:260μJ（开），70μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:17.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:10ns/72ns 测试条件:400V，10A，30 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:105ns 封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-263（D2Pak）标准包装:800 AO-AGSM-OM54 功能描述:ANTENNA GSM / UMTS OMNI 7DB - OM 制造商:b&b smartworx, inc. 系列:- 零件状态:在售配件类型:天线配套使用产品/相关产品:- 标准包装:1 AO9926C 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.6A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7.6A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:23 毫欧 @ 7.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:12.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:630pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1 AOB12T60PL AOB1404L AOB14N50 AOB15B60D AOB15B65M1 AOB15S60L AOB15S65L AOB1606L AOB1608L AOB20C60 AOB20C60L AOB20C60PL AOB20S60L AOB210L AOB240L AOB2500L AOB2502L AOB254L