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AO7414L

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  • AO7414L
    AO7414L

    AO7414L

  • 北京元坤伟业科技有限公司
    北京元坤伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162106431621048916210479162104578

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室

    资质:营业执照

  • 10000

  • ALPHA

  • SC70-6

  • 15+

  • -
  • 原装正品,假一罚十

  • AO7414L
    AO7414L

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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 9250

  • AOS

  • SOT-323

  • 2013+pb

  • -
  • 全新原装现货

  • AO7414L
    AO7414L

    AO7414L

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • AOS/万代

  • SOT323

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • AO7414L
    AO7414L

    AO7414L

  • 深圳市宝芯创电子有限公司
    深圳市宝芯创电子有限公司

    联系人:陈先生

    电话:0755-83228629

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1002号赛格广场45层4503B★公司为一般纳税人,可开正规13%专

    资质:营业执照

  • 59990

  • AO/万代

  • SOT-323

  • 17+

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  • 制造商
  • Alpha & Omega Semiconductor
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 20V 2A T/R
AO7414L 技术参数
  • AO7414_001 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):62 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):320pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3 标准包装:1 AO7414 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,1.8V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):62 毫欧 @ 2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):320pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3 标准包装:3,000 AO7413_030 功能描述:MOSFET P-CH SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Ta) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):4.5nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):400pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):350mW(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):113 毫欧 @ 1.4A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SC-70-3 封装/外壳:SC-70,SOT-323 标准包装:3,000 AO7413 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):113 毫欧 @ 1.4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):4.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):400pF @ 10V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70-3 标准包装:1 AO7412 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.1A SC70-6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):1.7A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 2.1A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):270pF @ 15V 功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装:SC-70-6 标准包装:1 AO8801L AO8803 AO8804 AO8804_100 AO8804L AO8807 AO8808A AO8810 AO8810#A AO8814 AO8814#A AO8818 AO8820 AO8822 AO8822#A AO8830 AO9926B AO9926BL
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