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AOB2144L

配单专家企业名单
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  • AOB2144L
    AOB2144L

    AOB2144L

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    联系人:赖先生

    电话:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号

    资质:营业执照

  • 400045

  • YXYBDT台湾

  • TO220

  • 2024+

  • -
  • 代理台湾YXYBDT.现货

  • AOB2144L
    AOB2144L

    AOB2144L

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 2500

  • isc,iscsemi

  • D2PAK/TO-263

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • AOB2144L
    AOB2144L

    AOB2144L

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • AO

  • TO-263

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • AOB2144L
    AOB2144L

    AOB2144L

  • 深圳市诚创信科技有限公司
    深圳市诚创信科技有限公司

    联系人:廖敏

    电话:13135041015

    地址:福田区南光捷佳2018室

  • 96000

  • AOS

  • TO-263

  • 20+

  • -
  • 原装现货

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
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AOB2144L 技术参数
  • AOB210L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Ta),105A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.6 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):58nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4300pF @ 15V 功率 - 最大值:176W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB20S60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):199 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1038pF @ 100V 功率 - 最大值:266W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB20C60PL 功能描述:MOSFET NCH 600V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3607pF @ 100V 功率 - 最大值:463W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:1 AOB20C60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3440pF @ 100V 功率 - 最大值:463W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:800 AOB20C60 功能描述:MOSFET N-CH TO-263 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:* 零件状态:过期 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):250 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3440pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB 供应商器件封装:TO-263(D2Pak) 标准包装:800 AOB2618L AOB262L AOB264L AOB266L AOB270AL AOB270L AOB27S60L AOB280L AOB282L AOB284L AOB286L AOB288L AOB2904 AOB290L AOB2910L AOB2918L AOB292L AOB296L
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