AOD2616

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AOD2616 技术参数

AOD2610E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 46A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:剪切带（CT）零件状态:Digi-Key 停止供應标准包装:1 AOD2610_002 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:带卷（TR）零件状态:停產安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 AOD2610 功能描述:MOSFET N-CH 60V 10A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:10A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.7 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2410pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD2606 功能描述:MOSFET N-CH 60V 46A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:6.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4050pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD256_001 功能描述:MOSFET N-CH 150V 19A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:150V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta），19A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:85 毫欧 @ 10A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1165pF @ 75V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD294A AOD296A AOD2C60 AOD2HC60 AOD2N100 AOD2N60 AOD2N60A AOD3C50 AOD3C60 AOD3N40 AOD3N50 AOD3N50_004 AOD3N60 AOD3N80 AOD3T40P AOD403 AOD403_030 AOD403_DELTA