AOD4144_002

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功能描述
MOSFET N-CH TO252
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
SDMOS??
包装
带卷（TR）
零件状态
停產
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
13A（Ta），55A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
28nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1430pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.3W（Ta），50W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
8 毫欧 @ 20A，10V
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
标准包装
2,500

AOD4144_002 技术参数

AOD413A_002 功能描述:MOSFET P-CH 40V TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購标准包装:2,500 AOD413A 功能描述:MOSFET P-CH 40V 12A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:44 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1125pF @ 20V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD4136L 功能描述:MOSFET N-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:734pF @ 12.5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），30W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252-3 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 AOD4136 功能描述:MOSFET N-CH 25V 25A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:SDMOS?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:25V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:16.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:734pF @ 12.5V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:2,500 AOD4132L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:85A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4400pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD4182 AOD4184A AOD4185 AOD4185_003 AOD4185_DELTA AOD4185L AOD4185L_003 AOD4185L_DELTA AOD4186 AOD4189 AOD418G AOD421 AOD421_001 AOD423 AOD424 AOD425 AOD425_001 AOD4286