AOD522P AOD522

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AOD522P AOD522 技术参数

AOD522P 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），46A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1500pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD522 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期标准包装:1 AOD520 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期标准包装:1 AOD518_051 功能描述:MOSFET N-CH TO-252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:上次购买时间标准包装:2,500 AOD518_050 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），54A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:22.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:951pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:1 AOD5N50M AOD5T40P AOD5T40P_101 AOD603A AOD604 AOD606 AOD607 AOD607_001 AOD607_DELTA AOD607A AOD609 AOD661 AOD6N50 AOD7B65M3 AOD7N60 AOD7N65 AOD7S60 AOD7S65