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AOD536

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  • AOD536 MOS(场效应管)
    AOD536 MOS(场效应管)

    AOD536 MOS(场效应管)

  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • AO/万代

  • TO-252

  • 23+

  • -
  • 原装正品 欢迎咨询

  • AOD536
    AOD536

    AOD536

  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 6750

  • isc,iscsemi

  • DPAK/TO-252

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  • 国产品牌,可替代原装

  • AOD536
    AOD536

    AOD536

  • 深圳市诚创信科技有限公司
    深圳市诚创信科技有限公司

    联系人:廖敏

    电话:13135041015

    地址:福田区南光捷佳2018室

  • 96000

  • AOS

  • TO-252

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  • 原装现货

  • AOD536
    AOD536

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  • 深圳市贸盛微电子有限公司
    深圳市贸盛微电子有限公司

    联系人:周先生

    电话:0755-8220875218127068687

    地址:深圳市罗湖区嘉宾路友谊大厦五栋3楼G

    资质:营业执照

  • 30000

  • AOS

  • TO252

  • NA

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  • 原装现货

  • AOD536
    AOD536

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  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

  • 36000000

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  • 22+

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  • 原装正品

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AOD536 技术参数
  • AOD528 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Ta),50A(Tc) 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1400pF @ 15V FET 功能:- 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.4 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:1 AOD526_DELTA 功能描述:MOSFET N-CH DPAK 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):33nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1550pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.5W(Ta),50W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 标准包装:2,500 AOD526 功能描述:MOSFET N-CH TO-252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1550pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:2,500 AOD522P 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):17A(Ta),46A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1500pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 供应商器件封装:TO-252,(D-Pak) 标准包装:1 AOD522 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期 标准包装:1 AOD603A AOD604 AOD606 AOD607 AOD607_001 AOD607_DELTA AOD607A AOD609 AOD661 AOD6N50 AOD7B65M3 AOD7N60 AOD7N65 AOD7S60 AOD7S65 AOD8N25 AOD9N40 AOD9N50
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