AOD5B65ND

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AOD5B65ND
深圳市科翼源电子有限公司
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联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
16925
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TO-252-2
21+
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AOD5B65ND
深圳廊盛科技有限公司
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联系人：李小姐
电话：18229386512
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20000
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AOD5B65ND 技术参数

AOD5B65N1 功能描述:IGBT 650V 5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 零件状态:在售 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，5A 功率 - 最大值:52W 开关能量:81μJ (开), 49μJ (关) 输入类型:标准栅极电荷:9.2nC 25°C 时 Td（开/关）值:8ns/73ns 测试条件:400V，5A，60 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:170ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:2,500 AOD5B65M1 功能描述:IGBT 650V 5A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:10A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):15A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.98V @ 15V，5A 功率 - 最大值:69W 开关能量:80μJ（开），70μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:14nC 25°C 时 Td（开/关）值:8.5ns/106ns 测试条件:400V，5A，60 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:195ns 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252 标准包装:1 AOD5B60D 功能描述:IGBT 600V 10A 54.4W TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 IGBT 类型:- 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:23A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:1.8V @ 15V， 5A 功率 - 最大值:54.4W 开关能量:140μJ（开），40μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:9.4nC 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/82ns 测试条件:400V，5A，60 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:98ns 封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）标准包装:2,500 AOD538 功能描述:MOSFET N-CH 30V 34A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Ta），70A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:42nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2160pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta），24W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.1 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:2,500 AOD528 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），50A（Tc）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 15V FET 功能:- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.4 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 标准包装:1 AOD607_001 AOD607_DELTA AOD607A AOD609 AOD661 AOD6N50 AOD7B65M3 AOD7N60 AOD7N65 AOD7S60 AOD7S65 AOD8N25 AOD9N40 AOD9N50 AOD9T40P AOE6922 AOE6930 AOE6932