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AON4807 MOS(场效应管)

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    AON4807 MOS(场效应管)

    AON4807 MOS(场效应管)

  • 深圳廊盛科技有限公司
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    联系人:李小姐

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AON4807 MOS(场效应管) 技术参数
  • AON4807 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):68 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x2) 标准包装:3,000 AON4803 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 3.4A DFN3X2 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):745pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x2) 标准包装:3,000 AON4705L 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式) 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):65 毫欧 @ 4A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):11nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):745pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x2) 标准包装:1 AON4703 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.4A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式) 漏源极电压(Vdss):20V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):90 毫欧 @ 3.4A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):6.1nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(3x2) 标准包装:1 AON4605_002 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:最後搶購 标准包装:3,000 AON5820_101 AON6144 AON6152 AON6154 AON6156 AON6160 AON6162 AON6200L AON6202 AON6204 AON6206 AON6210 AON6220 AON6224 AON6226 AON6230 AON6232 AON6232A
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