AON6284A

配单专家企业名单

型号
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说明
操作

AON6284A
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
10000
AOS
DFN8
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

AON6284A
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
AOS
DFN5x6
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AON6284A
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
AOS/万代
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 80V 48A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
AlphaSGT?
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
52nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2540pF @ 40V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
56W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
6.5 毫欧 @ 20A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线
标准包装
3,000

AON6284A 技术参数

AON6284 功能描述:MOSFET N-CH 80V 78A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Ta），78A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2162pF @ 40V 功率 - 最大值:7.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6282 功能描述:MOSFET N-CH 80V 26.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:26.5A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:5.6 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:51nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2848pF @ 40V 功率 - 最大值:7.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:3,000 AON6280 功能描述:MOSFET N-CH 80V 17A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.1 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3930pF @ 40V 功率 - 最大值:7.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6278 功能描述:MOSFET N-CH 80V 34A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Ta）、 85A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:86nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4646pF @ 40V 功率 - 最大值:7.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6276 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 80V 100A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:80V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:100nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4940pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:215W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线标准包装:3,000 AON6362 AON6366E AON6368 AON6368P AON6370 AON6370_001 AON6370_002 AON6370P AON6372 AON6380 AON6382 AON6384 AON6400 AON6400L_002 AON6403 AON6404 AON6404A AON6404A_001