AON6380全国供应商【买卖IC网】AON6380资料|PDF Datasheet|价格

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AON6380
深圳市英科美电子有限公司
深圳市英科美电子有限公司
联系人：张先生
电话：0755-23903058
地址：深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F
50000
AOS/万代
DFN5X6
22+
-
每一片都来自原厂，正品保证

AON6380/IM1843
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
INGREY
SOT23-3L
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

AON6380
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
28
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT
con
24+
-
场效应管

AON6380
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
28
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCT
con
24+
-
场效应管

AON6380
深圳市畅洲科技有限公司
深圳市畅洲科技有限公司
联系人：苏小姐
电话：0755-82561407
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1002号赛格广场4211B
资质：营业执照
10000
AOS(万代)
DFN(5x6)
22+
-
全新原装正品

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 30V 24V 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
*
零件状态
在售
标准包装
3,000

AON6380 技术参数

AON6372 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:830pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:26W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线标准包装:3,000 AON6370P 功能描述:MOSFET N-CH 30V 23A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期标准包装:1 AON6370_002 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:840pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），26W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:3,000 AON6370_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:840pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），26W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:3,000 AON6370 功能描述:MOSFET N-CH 30V 23A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），47A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:840pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6407 AON6408L AON6410 AON6411 AON6411_001 AON6413 AON6414A AON6414AL AON6414G AON6416 AON6418 AON6424 AON6424A AON6426 AON6428_103 AON6428L AON6435 AON6442