AON6384

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

AON6384
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889159
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
4000
isc,iscsemi
DFN5×6
2024+
-
国产品牌，可替代原装

AON6384
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
25721
AOS
DFN
21+
-
原厂原装现货

AON6384
深圳市诚创信科技有限公司
深圳市诚创信科技有限公司
联系人：廖敏
电话：13135041015
地址：福田区南光捷佳2018室
96000
AOS
DFN 5x6 EP
20+
-
原装现货

AON6384
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3085
AOS
DFN
2206+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 30V 83A 8DFN
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
83A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
35nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1330pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
36W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
3.3 毫欧 @ 20A，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-DFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerSMD，扁平引线
标准包装
3,000

AON6384 技术参数

AON6382 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:85A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:65nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3100pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:50W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.85 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线标准包装:3,000 AON6380 功能描述:MOSFET N-CH 30V 24V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:在售标准包装:3,000 AON6372 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:12.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:830pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:26W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线标准包装:3,000 AON6370P 功能描述:MOSFET N-CH 30V 23A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期标准包装:1 AON6370_002 功能描述:MOSFET N-CH 30V DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:aMOS?? 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:23A（Ta），47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:13nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:840pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），26W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.2 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:3,000 AON6410 AON6411 AON6411_001 AON6413 AON6414A AON6414AL AON6414G AON6416 AON6418 AON6424 AON6424A AON6426 AON6428_103 AON6428L AON6435 AON6442 AON6444 AON6448