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AON6370_001

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • aMOS??
  • 零件状态
  • 在售
  • FET 类型
  • N 沟道
  • 技术
  • MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)
  • 30V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 23A(Ta),47A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
  • 13nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
  • 840pF @ 15V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 6.2W(Ta),26W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 7.2 毫欧 @ 20A,10V
  • 工作温度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 供应商器件封装
  • 8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳
  • 8-VDFN 裸露焊盘
  • 标准包装
  • 3,000
AON6370_001 技术参数
  • AON6370 功能描述:MOSFET N-CH 30V 23A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):23A(Ta),47A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):7.2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):840pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1 AON6368P 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:过期 标准包装:1 AON6368 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Ta),52A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.1 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):820pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1 AON6366E 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):80nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3020pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):46W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.7 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 标准包装:3,000 AON6362 功能描述:MOSFET N-CH 30V 27A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):27A(Ta),60A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.2 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):820pF @ 15V 功率 - 最大值:6.2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1 AON6404 AON6404A AON6404A_001 AON6405L AON6407 AON6408L AON6410 AON6411 AON6411_001 AON6413 AON6414A AON6414AL AON6414G AON6416 AON6418 AON6424 AON6424A AON6426
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