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AON5802BG

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  • 深圳廊盛科技有限公司
    深圳廊盛科技有限公司

    联系人:李小姐

    电话:18229386512

    地址:上步工业区501栋410室

  • 20000

  • AOS/万代

  • DFN2x5

  • 23+

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  • 原装正品 欢迎咨询

  • AON5802BG
    AON5802BG

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  • 深圳市诚创信科技有限公司
    深圳市诚创信科技有限公司

    联系人:廖敏

    电话:13135041015

    地址:福田区南光捷佳2018室

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  • 深圳市百域芯科技有限公司
    深圳市百域芯科技有限公司

    联系人:林S

    电话:400-666-5385

    地址:华强北都会轩4507

    资质:营业执照

  • 30000

  • AOS/万代

  • DFN2*5

  • 21+

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  • 优势供应 实单必成 可13点增值税

  • AON5802BG
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  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 60000

  • AOS/万国

  • DFN2x5

  • 21+原装

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  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

  • AON5802BG
    AON5802BG

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  • 深圳市科宏特电子有限公司
    深圳市科宏特电子有限公司

    联系人:李瑞兵

    电话:18897698645

    地址:深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148

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  • 原装正品

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AON5802BG 技术参数
  • AON5802B_101 功能描述:MOSFET N-CH DUAL DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5) 标准包装:3,000 AON5802B 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.2A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):19 毫欧 @ 7A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1150pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5) 标准包装:5,000 AON5802ALS 功能描述:MOSFET N-CH DUAL DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5) 标准包装:3,000 AON5802A 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:2 N 沟道(双)共漏 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):7.2A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):20 毫欧 @ 7.2A,4.5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):10.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1115pF @ 15V 功率 - 最大值:1.7W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-SMD,扁平引线裸焊盘 供应商器件封装:6-DFN-EP(2x5) 标准包装:1 AON4807_101 功能描述:MOSFET P-CH DUAL DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:停產 FET 类型:2 个 P 沟道(双) FET 功能:标准 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):68 毫欧 @ 4A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):290pF @ 15V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-DFN(3x2) 标准包装:3,000 AON6162 AON6200L AON6202 AON6204 AON6206 AON6210 AON6220 AON6224 AON6226 AON6230 AON6232 AON6232A AON6234 AON6236 AON6240 AON6242 AON6244 AON6246
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