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AON6403L

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  • AON6403L/AON6404L/AON6405L
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    联系人:李林

    电话:0755-8251939113714584659李先生(可开13%增票,3

    地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

    资质:营业执照

  • 15862

  • AOS/万代

  • DFN

  • 22+

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  • 全新原装正品现货热卖

  • AON6403L
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  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

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  • AOS美国万

  • DFN56

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  • 无锡固电半导体股份有限公司
    无锡固电半导体股份有限公司

    联系人:张小姐

    电话:15961889159

    地址:江苏省无锡市新区新梅路68号

    资质:营业执照

  • 4000

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  • DFN5×6

  • 2024+

  • -
  • 国产品牌,可替代原装

  • AON6403L
    AON6403L

    AON6403L

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

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    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 15000

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  • DFN5X6

  • 15+pb

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  • 全新原装现货

  • AON6403L
    AON6403L

    AON6403L

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:朱先生/李小姐

    电话:0755-2394163213723794312(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。

  • 865000

  • AOS

  • 原厂封装

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  • AON6403L
    AON6403L

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  • 深圳市大源实业科技有限公司
    深圳市大源实业科技有限公司

    联系人:李女士

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  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全称
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • P-Channel Power Transistor
AON6403L 技术参数
  • AON6403 功能描述:MOSFET P-CH 30V 21A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.1 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):196nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):9120pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1 AON6400L_002 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):31A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):170nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8300pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1 AON6400 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):31A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):170nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):8300pF @ 15V 功率 - 最大值:2.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1 AON6384 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 83A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):83A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):35nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1330pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):36W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.3 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 标准包装:3,000 AON6382 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):85A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):65nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3100pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):50W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.85 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 标准包装:3,000 AON6413 AON6414A AON6414AL AON6414G AON6416 AON6418 AON6424 AON6424A AON6426 AON6428_103 AON6428L AON6435 AON6442 AON6444 AON6448 AON6450 AON6450L AON6450L_001
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