AON6504B

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AON6504B 技术参数

AON6504_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:带卷（TR）零件状态:最後搶購安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（5x6）封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线标准包装:3,000 AON6504 功能描述:MOSFET N-CH 30V 51A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:51A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2719pF @ 15V 功率 - 最大值:7.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6502 功能描述:MOSFET N-CH 30V 49A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:49A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.2 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3430pF @ 15V 功率 - 最大值:7.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6500_001 功能描述:MOSFET N-CH 30V 71A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:71A（Ta），200A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:0.95 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:145nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7036pF @ 15V 功率 - 最大值:7.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6500 功能描述:MOSFET N CH 30V 71A DFN5X6 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:71A（Ta），200A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:0.95 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:145nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7036pF @ 15V 功率 - 最大值:7.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（5x6）标准包装:1 AON6520 AON6522 AON6522_002 AON6524 AON6524_001 AON6526 AON6528 AON6530 AON6532 AON6532P AON6534 AON6536 AON6538 AON6542 AON6544 AON6546 AON6548 AON6554