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AON6564

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  • 制造商
  • AOSMD
  • 制造商全称
  • Alpha & Omega Semiconductors
  • 功能描述
  • 30V N-Channel AlphaMOS
AON6564 技术参数
  • AON6562 功能描述:MOSFET N-CH 30V 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):29A(Ta),32A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):33nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1550pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):6W(Ta),25W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 标准包装:3,000 AON6560 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):84A(Ta),200A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):680 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):325nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):11500pF @ 15V 功率 - 最大值:7.3W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:3,000 AON6558 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):25A(Ta),28A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.1 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1128pF @ 15V 功率 - 最大值:5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1 AON6554 功能描述:MOSFET N CH 30V 36A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):36A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.9 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):65nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3020pF @ 15V 功率 - 最大值:5.6W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:3,000 AON6548 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A 8-DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):52A(Ta),85A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.8 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4290pF @ 15V 功率 - 最大值:7.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1 AON6594 AON6596 AON6598 AON6702 AON6718L_101 AON6748_101 AON6748_102 AON6752 AON6754 AON6756 AON6756_101 AON6758 AON6758_101 AON6758_102 AON6758_103 AON6758_104 AON6760 AON6764
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