AON7466 MOS(场效应管)

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AON7466 MOS(场效应管)
深圳廊盛科技有限公司
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电话：18229386512
地址：上步工业区501栋410室
20000
AOS/万代
DFN33
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AON7466 MOS(场效应管) 技术参数

AON7466 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:15A（Ta），30A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1150pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）标准包装:5,000 AON7462 功能描述:MOSFET N-CH 300V 0.9A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:900mA（Ta），2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 900mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.6nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:240pF @ 25V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7460 功能描述:MOSFET N-CH 300V 1.2A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.2A（Ta），4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:830 毫欧 @ 1.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7458 功能描述:MOSFET N-CH 250V 1.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:1.5A（Ta），5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:560 毫欧 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.2nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:370pF @ 25V 功率 - 最大值:3.1W 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7452L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件状态:停產标准包装:5,000 AON7522E AON7524 AON7526 AON7528 AON7532E AON7534 AON7536 AON7538 AON7544 AON7548 AON7548_101 AON7556 AON7566 AON7568 AON7611 AON7700 AON7702 AON7702A_101