AON7611 中高压MOS管

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1/1页 40条/页共40条
1

您是不是要找： AON7700 AON7702 AON7702A_101 AON7702B AON7752 AON7754 AON7758 AON7758_001 AON7760

AON7611 中高压MOS管 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

AON7611 中高压MOS管技术参数

AON7611 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 9A/18.5A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道，共漏 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:9A，18.5A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:170pF @ 15V 功率 - 最大值:1.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7568 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Ta），32A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:60nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2270pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:5W（Ta），28W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.6 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（3x3）封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线标准包装:5,000 AON7566 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 30V 34A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:34A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:80nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3020pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:3.7 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）封装/外壳:8-PowerVDFN 标准包装:5,000 AON7556 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:12A（Ta），12A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.5 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:600pF @ 15V 功率 - 最大值:4.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7548_101 功能描述:MOSFET N-CH DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:带卷（TR）零件状态:停產 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:14A（Ta），24A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:22nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1086pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），23W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.8 毫欧 @ 20A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘标准包装:5,000 AON7764 AON7784 AON7788 AON7804 AON7804_102 AON7810 AON7812 AON7820 AON7826 AON7900 AON7902 AON7932 AON7932_101 AON7934 AONR32314 AOP605 AOP607 AOP609