AONR36368

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AONR36368
深圳市华创欧科技有限公司
深圳市华创欧科技有限公司
联系人：朱先生
电话：2394575513590206539
地址：深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
30000
AOS
DFN
2022+
-
原装正品，公司现货库存假一罚十，电话：0...

AONR36368
深圳市杰世特电子有限公司
深圳市杰世特电子有限公司
联系人：林S
电话：18927460633
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大厦2栋2单元535
0
21+
9775
TO-220
-
进口原装现货支持实单价优

AONR36368
深圳市诚创信科技有限公司
深圳市诚创信科技有限公司
联系人：廖敏
电话：13135041015
地址：福田区南光捷佳2018室
96000
AOS
DFN 3x3
20+
-
原装现货

AONR36368
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
AOS
22+
-
原装正品

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AONR36368 技术参数

AONR32314 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件状态:初步 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:17A（Ta），30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.25V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1420pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），24W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.7 毫欧 @ 17A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:8-DFN（3x3）封装/外壳:8-SMD，扁平引线标准包装:5,000 AON7934 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A，15A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:10.2 毫欧 @ 13A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:485pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）标准包装:1 AON7932_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.6A，8.1A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 6.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-DFN（3x3）标准包装:1 AON7932 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.6A，8.1A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:20 毫欧 @ 6.6A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）标准包装:1 AON7902 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期 FET 类型:2 个 N 通道（半桥） FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8A，13A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 8A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:710pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerWDFN 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）标准包装:5,000 AORN2001AT5 AORN2002AT5 AORN20-1AT5 AORN2-1AT5 AORN2492AT5 AORN25-1AT5 AORN4991AT5 AORN4992AT5 AORN50-1AT5 AORN5-1AT5 AOSD62666E AOT10B60D AOT10B65M1 AOT10B65M2 AOT10N60 AOT10N60_001 AOT10N60L AOT10N65